半導体レーザの新製品開発と量産化に向けた結晶成長技術開発、ウエハプロセス開発、工程設計、量産技術開発、評価・解析等

※富山県魚津市での勤務となります

【具体的な仕事内容】

（１）半導体レーザの結晶成長技術開発

 　　・MOCVD法を用いたGaAs系、GaN系薄膜成長技術の開発

 　　・安定生産を実現する量産化技術の開発

（２）半導体レーザのウエハプロセス開発

　　・化合物半導体（GaAs系、GaN系）のプロセス要素技術開発（成膜、エッチング、不純物拡散、電極形成など）

　　・半導体レーザの製造プロセス開発（電極構造の形成、共振器構造の形成など）

【当社で働くことの魅力】

業界トップクラスの高出力、高信頼性レーザ技術を有しており、半導体レーザを使用した材料加工や基板露光分野といった産業分野で世界の上位企業に当社製品が採用されています。

半導体プロセスの業界で働く技術開発者にとって、保有スキルを活かして画期的な半導体レーザ製品を開発・事業化したり、自身の技術スキルを更に磨くことのできる職場です。

【必須条件】

［経験］

半導体のプロセス開発業務経験 （3年目安）

［知識］

材料物性、半導体プロセス技術の知識

［語学］

TOEIC500点以上

［その他］

 ・レーザ技術に興味がある

 ・半導体レーザの結晶成長、プロセス開発に興味がある

 ※電気、電子、物理、化学、材料など、さまざまな技術や経験が活かせる職場です。

【歓迎条件】

［経験］

半導体プロセス設備、エピタキシャル成長装置を扱った経験

［知識］

・化合物半導体材料、物性の知識

・化合物半導体の経験はないが、半導体プロセス開発、インテグレーション開発の経験がある

・プロセスエンジニアとしての経験がある