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MOSFETのFE要素技術開発

職種
設計開発
勤務地
京都

仕事内容・応募要件

【募集背景】

NTCJ は半導体専業メーカーとして、自ら設定した事業領域でチャンピオンになる方針を掲げております。

現状、MOSFET事業はLi電池保護向け市場でシェアNo.1の注目事業であり、今後は更に新規市場向けの商品開発も注力する予定です。

既存及び新規市場向け商品開発を加速するため、MOSFET デバイス・プロセス開発の経験とシミュレーションスキルを有する技術者を募集します。


【仕事内容】

 デバイスシミュレーションを用いたMOSFETデバイス、FE要素技術開発

  MOSFET 拡散構造設計、拡散条件設定

  MOSFET 新規技術開発、知財創出

  MOSFET 製品レイアウト設計 など


【必須要件】

[経験]半導体拡散プロセス開発・製品開発・シミュレーション業務経験

[知識]半導体ディスクリートデバイス、シミュレーション に関する知見、技術スキルを保有

[ツール]デバイスシミュレーター、半導体デバイス測定装置、解析装置の使用経験

[その他]チームで業務を進めた経験、コミュニケーション能力を有する


【歓迎要件】

[経験]トランジスタなどのPNジャンクションの性質を利用したディスクリート製品開発の業務経験

[知識]MOSFET(40V~100V)に関するデバイス・プロセス知見、技術スキルを保有

[ツール]T-CADデバイスシミュレーター、プロセスシミュレーターなどの使用経験

[その他]プロジェクトリーダー、部下指導・育成の経験

[語学] TOEIC550点以上

勤務形態

正社員

勤務時間

【勤務時間】

8時30分~17時

※神奈川のみ9時~17時30分

※フレックスタイム制度有り(標準労働時間/1日7時間45分)

※在宅勤務制度あり

休日・休暇

【休日】

完全週休2日制(土曜日・日曜日)、祝日、年末年始、夏季、年次有給

[年間休日127日(2025年度)]


【特別休暇】

年次有給休暇(入社後10日~、翌年度以降最高25日、※翌年度まで繰越可、時間単位取得可)

ファミリーサポート休暇、慶弔休暇、長期節目休暇 など

給与・昇給

【給与・昇給】

想定年収:550万円〜1150万円

※試用期間:3ヶ月(同額支給)

※昇給:年1回

※上記はあくまでも目安であり、正式には社内規定やご経験、前職給与額などに沿って決定いたします。